Haute tension silicium pile industrielle micro-ondes dédié HVP-16 fabricants HVDIODE véritable vente directe chaude

No. d'article: GD0005
Les principales caractéristiques de cette série de produits: 1. Faible courant de fuite inverse et protection contre les surtensions transitoires de 10 ms; 2. Caractéristiques de résistance aux chocs et de rupture de tension d'avalanche; 3. Excellente
  • 反向电压: Array
  • 正向电流: Array
  • 产品尺寸: Array
  • Description
    Cette série de produits est largement utilisée dans:
    Équipement médical, dépoussiérage électrostatique, revêtement par pulvérisation, thermoscellage à haute fréquence, séchage du bois courbé, déshydratation et dessalement de l'huile, détection haute pression, injection de plasma, accélérateur d'ions, soudage par faisceau d'électrons, microscopie électronique, générateur d'ozone à ions négatifs, purification de l'air, revêtement sous vide , Nettoyage par ultrasons, allumage à haute énergie, inspection des machines à rayons X, imagerie médicale DR, micro-ondes industriels, modulation radar, émetteur sans fil à diffusion, équipement de découpe et de soudage laser et autres alimentations CC, alimentations par impulsions et autres équipements électroniques. Commercialisation de produits à l'échelle nationale et mondiale!
     

    Valeur limite

    Absolu

    Maximum

    Évaluations

      Nom du paramètre
    Objet
    Symbole
    Symbole
    Unité
    Unité
    Conditions de test
    Les conditions
    Valeur
    La tension
    Tension inverse de crête répétitive
    Tension arrière crête répétitive
    Vrrm KV Ta = 25 ℃ Ir = 2μA 16
    Tension inverse de travail maximale
    Tension de retour de travail maximale
    Vrwm KV Ta = 25 ℃ Ir = 2μA 16
    Courant moyen direct
    Courant direct moyen
    Si (AV) Un Demi-onde sinusoïdale 50Hz, charge de résistance, Tbreak = 50
    (Onde demi-sinusoïdale de 50 Hz, charge de résistance à la rupture = 50 ℃)
    1.0
    Temps de récupération inverse
    Temps de récupération en arrière
    Trr nS   -
    Courant d'appel direct (non répétitif)
    Surge Forward Current
    Ifsm Un Durée d'onde sinusoïdale 0.01S 50Hz
    0,01 S à demi-onde sinusoïdale 50 Hz
    50
    Température de l'environnement de travail
    Température ambiante de fonctionnement
    Ta   -40 ~ + 150
    Température de stockage
    Température de stockage
    Tstg   -40 ~ + 120

    Caractéristiques électriques

    Électrique

    CARACTÉRISTIQUES

    Tension crête directe
    Tension de crête avant
    Vfm V   ≥20
    Courant inverse de crête
    Courant de crête arrière
    Irrm1 μA @ Ta = 25 ℃ VRM = VRRM 5,0
    Irrm2 μA @ Ta = 100 ℃ VRM = VRRM 50,0