Micro-onde industriel spécial HVP-20 haute tension silicium pile HVDIODE véritable qualité militaire

No. d'article: GD0007
Les principales caractéristiques de cette série de produits: 1. Faible courant de fuite inverse et protection contre les surtensions transitoires de 10 ms; 2. Caractéristiques de résistance aux chocs et de rupture de tension d'avalanche; 3. Excellente
Description
Cette série de produits est largement utilisée dans:
Équipement médical, dépoussiérage électrostatique, revêtement par pulvérisation, thermoscellage à haute fréquence, séchage du bois courbé, déshydratation et dessalement de l'huile, détection haute pression, injection de plasma, accélérateur d'ions, soudage par faisceau d'électrons, microscopie électronique, générateur d'ozone à ions négatifs, purification de l'air, revêtement sous vide , Nettoyage par ultrasons, allumage à haute énergie, inspection des machines à rayons X, imagerie médicale DR, micro-ondes industriels, modulation radar, émetteur sans fil à diffusion, équipement de découpe et de soudage laser et autres alimentations CC, alimentations par impulsions et autres équipements électroniques. Commercialisation de produits à l'échelle nationale et mondiale!
 

Valeur limite

Absolu

Maximum

Évaluations

  Nom du paramètre
Objet
Symbole
Symbole
Unité
Unité
Conditions de test
Les conditions
Valeur
La tension
Tension inverse de crête répétitive
Tension arrière crête répétitive
Vrrm KV Ta = 25 ℃ Ir = 2μA 20
Tension inverse de travail maximale
Tension de retour de travail maximale
Vrwm KV Ta = 25 ℃ Ir = 2μA 20
Courant moyen direct
Courant direct moyen
Si (AV) Un Demi-onde sinusoïdale 50Hz, charge de résistance, Tbreak = 50
(Onde demi-sinusoïdale de 50 Hz, charge de résistance à la rupture = 50 ℃)
1.0
Temps de récupération inverse
Temps de récupération en arrière
Trr nS   -
Courant d'appel direct (non répétitif)
Surge Forward Current
Ifsm Un Durée d'onde sinusoïdale 0.01S 50Hz
0,01 S à demi-onde sinusoïdale 50 Hz
50
Température de l'environnement de travail
Température ambiante de fonctionnement
Ta   -40 ~ + 150
Température de stockage
Température de stockage
Tstg   -40 ~ + 120

Caractéristiques électriques

Électrique

CARACTÉRISTIQUES

Tension crête directe
Tension de crête avant
Vfm V   ≥28
Courant inverse de crête
Courant de crête arrière
Irrm1 μA @ Ta = 25 ℃ VRM = VRRM 5,0
Irrm2 μA @ Ta = 100 ℃ VRM = VRRM 50,0