Pile de silicium haute tension de qualité militaire HVACB100KV / 0.1A assemblage de redresseur de carte à haute fréquence à réponse rapide approuvé par les fabricants HVDIODE

Cette série de produits est largement utilisée dans:
Équipement médical, dépoussiérage électrostatique, revêtement par pulvérisation, thermoscellage à haute fréquence, séchage du bois courbé, déshydratation et dessalement de l'huile, détection haute pression, injection de plasma, accélérateur d'ions, soudage par faisceau d'électrons, microscopie électronique, générateur d'ozone à ions négatifs, purification de l'air, revêtement sous vide , Nettoyage par ultrasons, allumage à haute énergie, inspection des machines à rayons X, imagerie médicale DR, micro-ondes industriels, modulation radar, émetteur sans fil à diffusion, équipement de découpe et de soudage laser et autres alimentations CC, alimentations par impulsions et autres équipements électroniques. Commercialisation de produits à l'échelle nationale et mondiale!

Les principales caractéristiques de cette série de produits:
1. faible courant de fuite inverse, protection contre les surtensions transitoires de 10 ms;
2, résister à la tension, avec des caractéristiques de protection contre les pannes de tension d'avalanche;
3. Excellentes caractéristiques de décharge continue;
4, caractéristiques de réponse rapide à haute fréquence;
5. Haute résistance à la chaleur, la plage de température de la jonction PN est aussi élevée que 125 ～ ～ 175 ℃;
6. Technologie d'emballage de puce de passivation en verre haute température avancée en option;
7, technologie de protection de l'environnement, conformément aux normes internationales;
8. Appliquer strictement le système international de gestion de la qualité ISO9001 pour contrôler la qualité des produits;
9. La nouvelle technologie de moulage et d'emballage assure la résistance à l'humidité du produit et peut résister à l'environnement difficile
10. Peut également concevoir et personnaliser les produits exclusifs du client selon les besoins.
 

Valeur limite Absolu Maximum Évaluations		Nom du paramètre Objet	Symbole Symbole	Unité Unité	Conditions de test Les conditions	Valeur La tension
		Tension inverse de crête répétitive Tension arrière crête répétitive	Vrrm	KV	Ta = 25 ℃ Ir = 2μA	100
		Tension inverse de travail maximale Tension arrière de fonctionnement maximale	Vrwm	KV	Ta = 25 ℃ Ir = 2μA	100
		Courant moyen direct Courant direct moyen	Si (AV)	Un	Demi-onde sinusoïdale 50Hz, charge résistive, Tbreak = 50 ℃ (Onde demi-sinusoïdale de 50 Hz, charge de résistance à la rupture = 50 ℃)	0,1
		Temps de récupération inverse Temps de récupération en arrière	Trr	nS		100
		Courant d'appel direct (non répétitif) Surge Forward Current	Ifsm	Un	Durée d'onde sinusoïdale 0.01S 50Hz 0,01 S à demi-onde sinusoïdale 50 Hz	15
		Température de l'environnement de travail Température ambiante de fonctionnement	Ta	℃		-40 ～ + 150
		Température de stockage Température de stockage	Tstg	℃		-40 ～ + 120
Caractéristiques électriques Électrique CARACTÉRISTIQUES		Tension crête directe Tension de crête avant	Vfm	V		≥120
		Courant inverse de crête Courant de crête arrière	Irrm1	μA	@ Ta = 25 ℃ VRM = VRRM	5,0
			Irrm2	μA	@ Ta = 100 ℃ VRM = VRRM	50,0