Qualité militaire haute fréquence SLG10-08 diode haute tension de récupération ultra rapide 10KV800mA70nS

Cette série de produits est largement utilisée dans:
Équipement médical, dépoussiérage électrostatique, revêtement par pulvérisation, thermoscellage à haute fréquence, séchage du bois courbé, déshydratation et dessalement de l'huile, détection haute pression, injection de plasma, accélérateur d'ions, soudage par faisceau d'électrons, microscopie électronique, générateur d'ozone à ions négatifs, purification de l'air, revêtement sous vide , Nettoyage par ultrasons, allumage à haute énergie, inspection des machines à rayons X, imagerie médicale DR, micro-ondes industriels, modulation radar, émetteur sans fil à diffusion, équipement de découpe et de soudage laser et autres alimentations CC, alimentations par impulsions et autres équipements électroniques. Commercialisation de produits à l'échelle nationale et mondiale!
 

Valeur limite Absolu Maximum Évaluations		Nom du paramètre Objet	Symbole Symbole	Unité Unité	Conditions de test Les conditions	Valeur La tension
		Tension inverse de crête répétitive Tension arrière crête répétitive	Vrrm	KV	Ta = 25 ℃ Ir = 2,0 μA	10
		Tension inverse de travail maximale Tension de retour de travail maximale	Vrwm	KV	Ta = 25 ℃ Ir = 2,0 μA	10
		Courant moyen direct Courant direct moyen	Si (AV)	mA	Demi-onde sinusoïdale 50Hz, charge de résistance, Tbreak = 50 (Onde demi-sinusoïdale de 50 Hz, charge de résistance à la rupture = 50 ℃)	800
		Temps de récupération inverse Temps de récupération en arrière	Trr	nS		70
		Courant d'appel direct (non répétitif) Surge Forward Current	Ifsm	Un	Durée d'onde sinusoïdale 0.01S 50Hz 0,01 S à demi-onde sinusoïdale 50 Hz	20
		Température de l'environnement de travail Température ambiante de fonctionnement	Ta	℃		-50 ～ + 175
		Température de stockage Température de stockage	Tstg	℃		-40 ～ + 120
Caractéristiques électriques Électrique CARACTÉRISTIQUES		Tension crête directe Tension de crête avant	Vfm	V		≥15
		Courant inverse de crête Courant de crête arrière	Irrm1	μA	@ Ta = 25 ℃ VRM = VRRM	2.0
			Irrm2	μA	@ Ta = 100 ℃ VRM = VRRM	20,0